長鑫科技科創版上市，或刺激相關股份股價

長鑫科技集團股份有限公司作為中國首家及規模最大的動態隨機存取存儲器（DRAM）研發、設計、製造一體化（IDM）龍頭企業，正式啟動科創板上市進程。今次 IPO 募資規模或高達295億人民幣，勢必成為科創板第二大集資王。隨着存儲芯片行業進入高景氣週期，長鑫科技在 2025 年實現扭虧為盈，並在 2026 年第一季度錄得爆發式增長。今次上市將對全球同業及相關產業鏈帶來正面影響。致富研究部將介紹公司的財務表現及盈利狀況，以及同業相關的狀況給各投資者參考。

2. 公司概況與財務表現

長鑫科技自 2016 年成立以來，始終專注於 DRAM 產品的研發與量產，打破了全球 DRAM 市場由三星、SK 海力士和美光三巨頭壟斷的格局。

2.1 財務數據摘要

根據最新招股說明書，長鑫科技的業績在過去三年呈現幾何級數增長，主要受益於國產替代需求及行業週期反轉。

2026 年第一季度的淨利潤和收入已大幅超過 2025 全年，顯示出公司在產能及價格回升下的擁有極強的盈利彈性。

3. 全球及國內同業深度對比

在全球 DRAM 市場中，長鑫科技目前處於追趕者位置，但在中國市場具備顯著的本土優勢和政策支持。長鑫科技目前的產能與銷售規模已位居全球第四，僅次於三星、SK 海力士和美光。

3.1財務與估值對比（基於2025/2026財年預估）

Source:bloomberg

4.對相關股份的帶動作用

長鑫科技的上市不僅是單一公司的融資行為，更是整個國產存儲產業鏈的價值重估契機。

4.1 供應鏈關鍵環節及影響

5. 投資價值與相關風險

5.1 投資價值

1. 估值錨點：作為 A 股最純粹的 DRAM IDM 標的，長鑫科技將成為半導體板塊的風向標。

2. 盈利彈性：2026 Q1 的數據證明了其在存儲高景氣週期下的盈利爆發力。

3. 產能優勢：本次募資主要用於技術升級與產線改造，將進一步鞏固其在 17nm 及以下製程的競爭力。

5.2 風險提示

1. 行業週期波動：存儲芯片具有強週期性，若未來需求放緩，盈利能力可能受壓。

2. 技術與專利風險：先進製程（如 EUV 應用）的獲取受限，以及與國際巨頭的潛在專利糾紛。

3. 國際貿易環境：半導體設備及材料的進口限制可能影響擴產進度。

6. 結論

長鑫科技的上市是中國半導體產業鏈補齊「存儲」短板的里程碑事件。其產能利用率及先進製程（HBM/DDR5）的研發進度至為關鍵。長鑫科技上市對 A 股相關供應鏈公司具有顯著的正面催化作用，尤其是股權關聯方和核心封測供應商。

Source: https://vip.stock.finance.sina.com.cn/corp/view/vCB_AllBulletinDetail.php?id=12340315